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专利详情
一种InP量子点的后处理方法
申请号：
CN201810633136.4
申请公布号：
CN110616072A
申请日：
2018-06-20
申请公布日：
2019-12-27
申请（专利权）人：
深圳TCL工业研究院有限公司
专利代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）
分类号：
B82Y40/00；C09K11/70
专利介绍
本发明公开了一种InP量子点的后处理方法，包括步骤：提供含InP量子点、配体溶剂和非配体溶剂的混合液；向所述混合液中通入气体X2，使X与所述InP量子点表面的P结合，并引起InP量子点表面的In和P发生重组，消除了所述InP量子点表面的表面缺陷，从而可以大大提高InP量子点的发光效率，并且本制备方法不影响后续壳的生长。
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