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一种基于铁氧化细菌的光催化半导体硫化矿降解选矿废水残余药剂的方法

  • 申请号:CN201710086998.5 申请公布号: CN106957078B
  • 申请日: 2017-02-17 申请公布日: 2020-06-12
  • 申请(专利权)人:湖南有色金属研究院 专利代理机构: 北京知本村知识产权代理事务所(普通合伙)
  • 分类号:C02F1/30;C02F1/72;C02F103/10;C02F3/34

专利介绍

本发明公开了一种基于铁氧化细菌的光催化半导体硫化矿降解选矿废水残余药剂的方法。半导体硫化矿经可见光照射可催化产生光生电子与光生空穴,选矿废水中的残余药剂能被光生空穴氧化分解,达到降低废水COD值的目的。铁氧化细菌能够将硫化矿中Fe2+氧化为Fe3+,光生电子与Fe3+作用将其还原为Fe2+,从而减少光生电子与光生空穴的复合,增加光生空穴氧化分解选矿药剂的效率,能显著下降COD值,其下降率最高可达到98.2%。本发明方法所需仪器设备简单,能增加尾矿的二次利用,为选矿废水残余药剂的处理提供了一个新的途径。