您好，欢迎来到达州工业云！ 平台首页 企业驾驶舱 帮助中心 企业登录 企业注册

HI,欢迎使用达州工业云平台！

账号密码登录 动态密码登录

账号必须大于2位

忘记密码？ 新用户注册
创新资源平台
服务平台首页>专利库>专利详情

一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法

  • 申请号：CN201610505363.X 申请公布号： CN106129143A
  • 申请日： 2016-07-01 申请公布日： 2016-11-16
  • 申请（专利权）人：武汉光电工业技术研究院有限公司 专利代理机构： 武汉帅丞知识产权代理有限公司
  • 分类号：-

专利介绍

本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法，尤其是取向良好的硒化锑薄膜，所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料，良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法，具体为两步，包括：采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜，然后进行硒（硫）化处理的方法。本发明中的方法，可获得良好取向的硒化锑薄膜，有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池，且简单易行，成本低廉。

产业内其他专利

  • 企业服务热线

    0818-2373542

  • 金融服务热线

    0818-8891829

扫一扫轻松找工作

Copyright 2020 All Rights Reserved. 版权所有：达州市经济和信息化局 蜀ICP备2021010699号-1