您好，欢迎来到达州工业云！
平台首页
企业驾驶舱
帮助中心
企业登录
企业注册
HI,欢迎使用达州工业云平台！
账号密码登录
动态密码登录
账号必须大于2位
登录
获取验证码
登录
忘记密码？
新用户注册
创新资源平台
专家库
专利库
科研机构
科研成果
软件库
服务平台首页
>
专利库
>
专利详情
一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法
申请号：
CN201610505363.X
申请公布号：
CN106129143B
申请日：
2016-07-01
申请公布日：
2017-09-01
申请（专利权）人：
武汉光电工业技术研究院有限公司
专利代理机构：
武汉帅丞知识产权代理有限公司
分类号：
H01L31/18；H01L31/0445；H01L31/032
专利介绍
本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法，尤其是取向良好的硒化锑薄膜，所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料，良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法，具体为两步，包括：采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜，然后进行硒（硫）化处理的方法。本发明中的方法，可获得良好取向的硒化锑薄膜，有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池，且简单易行，成本低廉。
产业内其他专利
一种直流断路器辅助回路振荡特性的测试方法及测试设备
一种基于容量均衡与相对时延的路由确定方法及系统
智能电网遥控命令传送全过程信息的监测方法
一种电力系统可视化仿真模型拓扑分层布局方法
一种智能变电站合并单元测试配套装置
一种面向安稳控制类业务的风险分离保护寻路方法及系统
