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高光响应近红外光电探测器

  • 申请号:CN201410229544.5 申请公布号: CN104638036B
  • 申请日: 2014-05-28 申请公布日: 2017-11-10
  • 申请(专利权)人:武汉光电工业技术研究院有限公司 专利代理机构: 武汉帅丞知识产权代理有限公司
  • 分类号:H01L31/0272;H01L31/0216

专利介绍

一种高光响应近红外光电探测器,其特征在于:具体结构为透明惰性基底/硒化锑薄膜/电极,其中硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜;所述后硒化处理为:将硒化锑薄膜在硒氛围中进行退火处理,其中:所述硒氛围的硒蒸气分压为1~10000Pa,退火温度为150~400℃,处理时间为5~30min;或在硒化锑薄膜表面沉积一层硒,然后再进行退火处理,其中:沉积的硒的厚度为1~500nm,退火温度为150~400℃,退火时间为10~60min。本发明的高光响应近红外光电探测器的原材料丰富,价格低廉,工艺简单、经济、可操作性强,且具有高灵敏度。