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一种一维无机高分子及其通用制备方法

  • 申请号:CN201610315617.1 申请公布号: CN106006575B
  • 申请日: 2016-05-12 申请公布日: 2017-11-14
  • 申请(专利权)人:武汉光电工业技术研究院有限公司 专利代理机构: 武汉帅丞知识产权代理有限公司
  • 分类号:C01B19/00;C01G29/00;C01B19/04;C01G30/00

专利介绍

本发明涉及一维无机高分子及其通用制备方法,属于无机高分子材料制备技术领域。本发明利用具有一维晶体结构的无机化合物为原料和液氮在超声、粉碎处理过程中实现了无机化合物的离子插层,在超声环境下,使液氮进入无机化合物分子链间隙气化,体积膨胀对分子链产生支撑力,实现无机化合物的进一步剥离,制得本发明的目标产物,即本发明的一维无机高分子。本发明首次创造性地制备出了具有最小重复单元A4B6结构的无机高分子化合物,为一维无机高分子的制备开辟了新途径,另外,本发明方法未采用任何表面活性剂,制备得到的一维无机高分子产物十分纯净,而且本发明方法方便简单、成本低,可操作性强,易于工业化生产。