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低噪声雪崩光电探测器及其制备方法

  • 申请号:CN201610047625.2 申请公布号: CN105576072B
  • 申请日: 2016-01-25 申请公布日: 2018-02-23
  • 申请(专利权)人:武汉光电工业技术研究院有限公司 专利代理机构: -
  • 分类号:H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/107

专利介绍

本发明公开了一种低噪声雪崩光电探测器及其制备方法,该低噪声雪崩光电探测器包括通过扩散、离子注入依次形成不同掺杂类型的N型欧姆接触层/P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层,且电荷层与P型欧姆接触层/N型欧姆接触层之间的底部形成有衬底;所述电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层与衬底之间形成一个倒梯形凹槽;所述倒梯形凹槽内形成有吸收层。所述P型欧姆接触层和N型欧姆接触层上分别设有P型电极和N型电极。本发明的特点是改进一维纵向雪崩光电探测器为二维横向结构,通过降低倍增层的有效厚度到纳米尺寸,利用纳米倍增区的死区效应降低k值。