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专利详情
一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体
申请号：
CN201710494746.6
申请公布号：
CN107287657B
申请日：
2017-06-26
申请公布日：
2019-10-08
申请（专利权）人：
北京中材人工晶体研究院有限公司
专利代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司
分类号：
C30B29/12；C30B11/02
专利介绍
本发明提供一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，包括以下操作：将原料装入坩埚内，放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大。利用本发明提出的生长方法，坩埚不动，靠炉体的移动实现晶体生长，可有效避免传统LaBr3:Ce闪烁晶体生长方法中因引下装置的微小振动对晶体生长干扰而引入的包裹体、气泡等杂质，可显著提高晶体的光学质量，特别适合大尺寸、高光学质量LaBr3:Ce闪烁晶体的生长。
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