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一种双轴晶电光调Q开关及其制备方法

  • 申请号:CN201710640015.8 申请公布号: CN107465105B
  • 申请日: 2017-07-31 申请公布日: 2019-12-06
  • 申请(专利权)人:北京中材人工晶体研究院有限公司 专利代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
  • 分类号:H01S3/115

专利介绍

本发明提供了一种双轴晶电光调Q开关及其制备方法;其中一种双轴晶电光调Q开关由一个整块的矩形双轴晶电光晶体制成;电光调Q开关的通光方向的中心位置处为相位补偿波片;电光调Q开关上的相位补偿波片两侧的部分均为电光晶体元件,电光晶体元件的沿通光方向延伸且互相平行的两个c向面均镀有电极层;相位补偿波片在通光方向上的长度为用于对目标激光产生的相位延迟进行补偿的相位补偿波片厚度的奇数倍;两个电光晶体元件在通光方向上的长度相同;能够有效且可靠提高调Q开关的温度稳定性,插入损耗低且操作简单,既能够解决由于双轴晶电光晶体的静态双折射随温度变化而对调Q开关的温度稳定性造成的影响,又保证了电光调Q开关固有的消光比。