您好,欢迎来到达州工业云! 平台首页 企业驾驶舱 帮助中心 企业登录 企业注册

HI,欢迎使用达州工业云平台!

账号必须大于2位

创新资源平台
服务平台首页>专利库>专利详情

一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法

  • 申请号:CN202010284969.1 申请公布号: CN111337167A
  • 申请日: 2020-04-13 申请公布日: 2020-06-26
  • 申请(专利权)人:沈阳仪表科学研究院有限公司 专利代理机构: 沈阳科威专利代理有限责任公司
  • 分类号:G01L1/18;G01L1/22

专利介绍

一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法,它包括有:在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片,敏感电阻及压焊点,技术要点是:在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻,硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层;金刚石敏感电阻下方与硅膜片之间的连接层为用于敏感电阻与硅膜片隔离本征金刚石。该方法是将经清洗的抛光硅片,依次经氧化、光刻、刻蚀、化学气相沉积生长金刚石工艺的组合制备。本发明所制备的芯片,其传感器稳定性好,可探测高温下的压力,同时由于金刚石优异的性质,应用于极端条件下的高温压力探测。本发明采用硅作为膜片,金刚石敏感电阻生长在膜片内,避免了应力的过分聚集,也保证了形变量。