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专利详情
一种PN结压阻式扩散硅压力传感器
申请号：
CN201922242488.X
申请公布号：
CN210922903U
申请日：
2019-12-16
申请公布日：
2020-07-03
申请（专利权）人：
沈阳仪表科学研究院有限公司
专利代理机构：
沈阳科威专利代理有限责任公司
分类号：
G01L1/18；G01L9/06
专利介绍
本实用新型公开了一种PN结压阻式扩散硅压力传感器，属于微电子技术领域；它包括有晶圆片，技术要点是：在晶圆片上分布有凸起的阻条器件及压焊点，在阻条器件的顶部还覆盖有电极，在晶圆片及压焊点的外表面还设置有一氧气层或氮化层。采用本结构可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。
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