本发明公开了一种超薄垂直结构黄光LED及其制备方法，超薄垂直结构黄光LED，包括自下而上依次设置的电子沉积底层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层、p型GaN层、Ag电极层、Sn/Au金属键合层、低阻硅衬底和电子沉积顶层，其中Ag电极层和Sn/Au金属键合层键合而成；原始晶圆的缓冲层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总体厚度为d0，设定超薄垂直结构黄光LED的中心发光波长为λ，n型GaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总厚度为d1，则需保证d1小于λ。该超薄垂直结构黄光LED由原始晶圆和低阻硅衬底依次经过金属沉积、金属键合、衬底剥离、去除缓冲层、减薄n型GaN层，再次电极沉积制成；制得的超薄垂直结构黄光LED，能显著提升电光转换效率。
