本发明公开了一种超薄结构深紫外LED及其制备方法，超薄结构深紫外LED由从上往下依次设置的掺杂n型AlGaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层制成的总厚度小于600nm的深紫外LED。超薄结构深紫外LED制备方法：首先光刻定义器件，并通过刻蚀暴露出掺杂n型AlGaN层，其次生长SiO2钝化层，沉积电极，形成LED结构，通过倒装键合将LED器件和新衬底键合在一起，接着通过激光剥离或研磨抛光工艺去除蓝宝石衬底，进一步减薄去除AlN缓冲层和非掺杂AlGaN层，并减薄掺杂n型AlGaN层，剩余减薄的掺杂n型AlGaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总厚度小于600nm，形成超薄结构深紫外LED。该超薄结构深紫外LED能抑制器件内波导模式，提升器件的电光转换效率，提高器件的响应速度，根据应用需求不同，可作为发光器件、探测器件等用于率照明、显示和光通信领域。
