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熔断式印刷存储器及其制备方法

申请号：CN201810116634.1 申请公布号： CN108364669A
申请日： 2018-02-06 申请公布日： 2018-08-03
申请（专利权）人：常州印刷电子产业研究院有限公司 专利代理机构： 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）
分类号：G11C17/16；G11C17/18

专利介绍

本发明涉及印刷存储技术领域，尤其涉及一种熔断式印刷存储器及其制备方法。所述熔断式印刷存储器，包括衬底和位于衬底表面的至少一个熔断式器件；其中，所述熔断式器件包括：熔断功能材料层，设置于所述衬底表面，且所述熔断功能材料层采用具有纳米线结构的导电材料制造而成；多个电极，设置于所述熔断功能材料层表面，相邻电极之间具有一间隙，由所述间隙暴露的所述熔断功能材料层构成熔断功能区；隔热封装层，置于所述间隙中、且覆盖所述熔断功能区。本发明降低了熔断式存储器的熔断电流，缩短了熔断时间。

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