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一种静电释放保护电路版图及集成电路

申请号：CN201310172827.6 申请公布号： CN104143549B
申请日： 2013-05-10 申请公布日： 2017-07-18
申请（专利权）人：熠芯（珠海）微电子研究院有限公司 专利代理机构： 北京同达信恒知识产权代理有限公司
分类号：H01L29/78；H01L29/08；H01L27/02

专利介绍

本申请公开了一种静电释放保护电路版图，在硅衬底上布置金属氧化物半导体MOS管，所述MOS管的漏端靠近衬底，布置于该MOS管的外侧；而源端布置于该MOS管的内侧；所述漏端到衬底形成寄生二极管。本申请还公开了一种集成电路。本申请提供的静电释放保护电路无需SAB和ESD植入，可以将源端和漏端的面积做的比较小，并且使得寄生电容变小，电路的反应速度变快。

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LED温度补偿电路
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激光测距仪的接收装置

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