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高密度管脚QFN的封装结构与方法

申请号：CN201911203620.4 申请公布号： CN111106089A
申请日： 2019-11-29 申请公布日： 2020-05-05
申请（专利权）人：青岛歌尔微电子研究院有限公司 专利代理机构： 北京鸿元知识产权代理有限公司
分类号：H01L21/48；H01L21/60；H01L23/495；H01L23/544

专利介绍

本发明提供一种高密度管脚QFN的封装结构，属于半导体封装技术领域，包括引线框架结构，所述引线框架结构包括引线框架单元；其中，所述引线框架单元包括位于中部的芯片结合部以及围绕所述芯片结合部分布的四组管脚结合部阵列，在所述管脚结合部阵列的管脚结合部中嵌入有至少一个半切割道绝缘件，所述半切割道绝缘件位于管脚半切线上，并将一个管脚结合部分隔为至少两个管脚结合部。利用本发明，能够有效增加管脚密度，从而提高封装结构的集成度。

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