本发明提供一种优化半导体光电换能器有源区特性的方法，其特征是：1.所述有源区包含多层堆栈结构；2.每层结构包含了“量子点——量子阱”复合结构(以下简称“量子点阱”结构)以及薄覆盖层；3.该薄覆盖层用于保护量子点阱结构，使其在外延生长过程中不会劣化。所述劣化现象包括(但不限于)表面团聚、原子扩散、以及原子互混。所述量子点阱结构包括(但不限于)形状、尺寸、以及化学成分。本发明使得利用现有外延生长技术，制备多层、均一的量子点阱结构(超过25层)成为可能。作为一个实例，InGaAs材料可用于形成量子点阱结构，AlAs材料可用作薄覆盖层。
