本发明公开了一种组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法，该方法通过抑制外延生长过程中三元III‑V和III‑N纳米结构中体积混溶隙实现。通过本发明的方法可以获得任意组分x的InxGa1‑xAs或InxGa1‑xN纳米结构。这种方法实现了在三元InxGa1‑xAs和InxGa1‑xN材料纳米线组分x从0.1到0.8变化范围的特定实例，利用金属‑有机气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)技术在金属催化剂作用下，通过气‑液‑固或气‑固‑固方法生长。
