本发明涉及电子束分次诱导凝固去除硅中金属杂质的方法，属于多晶硅提纯技术领域。本发明包括以下步骤：硅料熔化；硅液倾倒；诱导定向凝固；固液分离：将照射凝固坩埚的电子枪功率升高，使硅表层附近高杂质浓度区域再次熔化；迅速将照射凝固坩埚的电子枪关闭，将凝固坩埚倾斜，使熔化的硅液倾倒进入废液坩埚中，之后将凝固坩埚恢复水平位置；本发明利用电子束分次诱导硅定向凝固，每一次硅料熔化、硅料熔炼、硅液倾倒、诱导定向凝固、固液分离为一个独立过程，通过诱导凝固将金属杂质富集在末端液相区，再通过倾倒的方式实现固液分离，获得的硅锭金属杂质去除效果好。
