本发明提出了一种大电流超导导体自场有限元分析方法，通过建立超导导体的二维截面，采用有限元方法对超导导体在大电流的测试条件下进行有限元磁场分析，得出超导导体在大电流运行条件下产生的磁场分布，并得到在超导导体上产生最大磁场的位置以及自场系数，从而确定和设计出合适的超导导体测试用背景场大小。通过本发明采用有限元的方法开展大电流测试条件下的超导导体自场分析，能够比解析的方法更准确和直观的分析得出超导导体的自场二维分布，能够直观的分析得出超导导体的最大磁场区域，确定出导体的自场系数，从而能以此为依据设计合理的超导导体大电流测试用的背景场大小。
