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一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法

一种

申请号：CN201110370968.X 申请公布号： CN102373433A
申请日： 2011-11-21 申请公布日： 2012-03-14
申请（专利权）人：武汉大学 专利代理机构：
分类号：C23C14/46

专利介绍

本发明提供了一种制备超薄碳膜的方法。用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束，在合适的真空条件下，经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连，处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束，其能量从十几KeV降低到几十或几百eV，经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势，实现直接沉积法制备超薄碳膜。

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一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法

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