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一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法

一种

申请号：CN200910131816.7 申请公布号： CN101509122A
申请日： 2009-04-08 申请公布日： 2009-08-19
申请（专利权）人：青岛科技大学 专利代理机构：
分类号：C23C14/06

专利介绍

本发明涉及一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法，该方法包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、2个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口。本方法以微波辐照产生氩的等离子体，轰击铜靶；以纯铜作靶，碘蒸汽为碘源，以微波辐照产生等离子体；微波辐照使铜、碘在到达基片之前一直处于等离子状态；将微波辐照与离子轰击结合在一起，保证成膜是以离子的形式进行。

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一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法

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